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空载电流

变压器空载电流Io等于磁化电流I&Oslash；o与铁损电流Ico的矢量和。磁化电流与铁损电流相位差90。。由于铁芯损耗电流很小，所以变压器的空载电流主要是磁化电流。空载电流与变压器的铁芯性能密切相关，允许的空载电流值大，铁芯的磁感应强度的取值就可提高，这可缩小变压器的体积。或以采用性能一般的铁芯材料，以降低变压器成本，但空载电流会增大，变压器功率因子就会下降，将影响电网或电源性能，空载电流允许值小，铁芯磁感应强度取值在降低，就必须采用性能优良的材料。

电压调整率

变压器从空载到满载时，由于初级铜阻r1，r2产生的电压降U1，U2，使得其负载电压低于空载电压，其下降程度一般用电压调整率来表示。（电压调整率支配着电流密度的取值，变压器的输出功率与允许电压调整率近似成正比关系。）

效率

变压器输出功率P2与输入功率P1之比称为效率。

功率因子

变压器的输入功率P1与其伏安容量VA1之比称为功率因子cos&Oslash；，变压器的功率因子与磁化电流有关，磁化电流在初级电流电流中所占比例愈大，功率因子愈低。

磁通量

垂直于磁感应强度B的平面，面积为S，穿过这个面的磁通量&Oslash；=BS。磁通量的意义也可以用磁力线形象地说明，磁通量所表增的，就是该磁场中某面的磁力线条数，在国际单位制中磁通量的单位是韦伯，简称韦，国际符号是wb。1韦=1特1米&sup2；。从 &Oslash；=BS ，可以得出 B=&Oslash；/S 这表明磁感应 S 强度等于穿过单位面积的磁通量，因此常把磁感应强度叫做磁通密度，并且用韦/米&sup2；作单位。 1特=1韦/米&sup2；-牛/安米

磁感应强度

在磁场中垂直于磁场方向的通电直导线，受到磁场的作用力F跟电流I和导线长度L的乘积IL的比值，叫做通电直导所在处的磁感应强度。（B=F/IL 磁感应强度B的单位是由F、I和L的 IL 单位决定。在国际单位制中，磁感应强度的单位是特斯拉，简称特。国际符号是T，1米长的导线通过1安的电流受到的磁场力为1牛，磁感应强度就是1特。

能量守恒

能量不会凭空产生，也不会凭空消失，它只能从一种形式转化成另一种形式，或者从一个物体转移到另一个物体， 而在这种转化和转移中总保持能的总量不变，这就是能量的转化和守恒定律。功是能的转化的量度。

楞次定律

感应电流具有这样的方向，就是感受应电流的磁场总要阻引起感应电流的磁通量的变化，这就是楞次定律。

电磁感应定律

电路中感应电动势的大小，跟穿过这一电路的能量的变化率成正比。（这就是法拉第电磁感应定律。）不论用什么方法，只要穿过闭合电路的磁通量发生变化，闭合电路中就有感应电流产生，这种现象叫做电磁感应。

集成度

在单块晶片(单片)上或单个封装中构成的集成电路所包含的最大元件数(包括有源及无源元件数)，称为集成度。
    单片上的集成电路所包含的最大元件数，称为单片集成度；当 陶瓷基片上或单个封装中由多个芯片构成集成电路时，其所包含的总元件数称为混合集成度。
    集成度衡量集成电路规模的大小，同样芯片面积下的集成度则表征集成密度的大小。

集成电路(IC)

使用半导体工艺或薄、厚膜工艺(或者这些工艺的结合)将电路的有源元件、无源元件及其互连布线一起制作在半导体或绝缘基片上，结构上形成紧密联系的整体电路，称为集成电路。
    与散装电路相比，集成电路大大减小了体积、重量、引出线和焊点数目，提高了电路性能和可靠性，同时降低了成本，便于批量生产。从分立元件到集成电路，是半导体电子技术发展的一个飞跃。
    整机集成化是微小型化发展方向，集成电路在民用电子设备、工业电子学、军事电子设备等方面具有广泛而重要的用途。
    大规模集成电路和微波集成电路是集成电路技术的重要发展方向。

阻值允许误差

指电阻器或电位器的实际阻值对于标称阻值的允许最大偏差范围，它标示产品精度。例如通用电阻器规定有三级精度，其中I级阻值允许误差是±5，II级是±10，III级是±20。

光敏电阻器

光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种元件。它是一种电阻值随着入射光强弱而改变的半导体电阻器。一般说来，入射光增强，电导增大，电阻减少。
    通常，光敏电阻体都制成薄片结构，以便吸收更多的光能。当它受到光线的照射时，半导体内部就激发出电子-空穴对，参与导电，使电路中的电流增大。
    根据光敏电阻器的光敏层所用的材料可以分为多晶光敏电阻器和单晶光敏电阻器。

通用电阻器

通用电阻器是指一般用途的电阻器。线绕电阻器和非线绕电阻器均可作为通用电阻器使用。这种电阻器的应用范围很广，取值范围一般为5.1欧～10兆欧；功率0.l25～2瓦．少数为5瓦和10瓦，在线绕电阻器中功率还可以更高一些；工作电压一般不超过1千伏；其精度有±5、±10和±20三级。

薄膜电阻器

用真空蒸发或溅射等方法在基片上形成电阻薄膜，在两端接触区上蒸发铬－金等薄膜导体而构成的元件叫薄膜电阻器。薄膜电阻所用材料种类繁多，但基本要求是一样的，即：电性能好，电阻温度系数低，稳定性好，噪声系数低，电阻范围宽，工艺性好，制造工艺简单，淀积过程中材料不分解，不易与加热器起反应。
    常用的薄膜电阻器是金属及其氧化物薄膜电阻器、合金膜电阻器、金属-陶瓷薄膜电阻器。